1M-bit(128K-word x 8-bit) Low power SRAM **Manufacturer:** NEC  
**Part Number:** UPD441000LGU-B10X-9JH  
### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 1 Megabit (1Mbit)  
- **Organization:** 256K x 4 bits  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 100 ns (nanoseconds)  
- **Package:** 20-pin SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C (Commercial grade)  
- **Refresh Cycles:** 4K refresh cycles every 64ms  
### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** Suitable for applications requiring fast access times.  
- **Low Power Consumption:** Designed for efficient power usage.  
- **Wide Operating Voltage Range:** Supports standard 5V power supply with tolerance.  
- **Standard Interface:** Compatible with industry-standard DRAM controllers.  
- **Reliable Refresh Mechanism:** Ensures data integrity with periodic refresh cycles.  
This DRAM chip is commonly used in older computer systems, embedded applications, and industrial electronics.