1M-bit(128K-word x 8-bit) Low power SRAM The part **UPD431000AGU-B10-9KH** is a semiconductor device manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **NEC** (Nippon Electric Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 1Mbit (1 Megabit)  
- **Organization:** 256K x 4 bits  
- **Voltage Supply:** 5V  
- **Access Time:** 100ns (nanoseconds)  
- **Package:** SOP (Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for applications requiring fast access times.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power efficiency.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial and commercial applications.  
- **Refresh Cycles:** Requires periodic refresh to maintain data integrity (typical for DRAM).  
- **Compatibility:** Works with standard DRAM interfaces.  

This information is based strictly on the available technical data for the **UPD431000AGU-B10-9KH** from NEC.