DYNAMIC NMOS RAM The UPD41464L10 is a DRAM (Dynamic Random-Access Memory) chip manufactured by NEC. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC (Nippon Electric Company)  
- **Part Number:** UPD41464L10  
- **Type:** DRAM (Dynamic RAM)  
- **Density:** 256K-bit (64K x 4-bit)  
- **Organization:** 65,536 words × 4 bits  
- **Access Time:** 100 ns (nanoseconds)  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Package:** 16-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Refresh Cycles:** 512 cycles every 8 ms (typical for DRAM)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions:**
- The UPD41464L10 is a high-speed, low-power CMOS DRAM chip designed for use in memory systems requiring moderate speed and density.  
- It is commonly used in older computer systems, embedded applications, and industrial electronics.  
- The chip requires periodic refreshing to maintain data integrity, as is typical with DRAM technology.  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 100 ns access time for efficient data retrieval.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures reduced power usage.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies integration into standard digital systems.  
- **Standard 16-Pin DIP Package:** Compatible with through-hole PCB designs.  
- **4-Bit Data Bus:** Suitable for memory expansion in 4-bit configurations.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.