DYNAMIC NMOS RAM The **UPD41464L-12** is a **DRAM (Dynamic Random-Access Memory)** chip manufactured by **NEC**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **NEC (Nippon Electric Company)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic RAM)  
- **Density:** 64K x 4 bits (256 Kbit)  
- **Organization:** 65,536 words × 4 bits  
- **Access Time:** **120 ns** (as indicated by the "-12" suffix)  
- **Operating Voltage:** **+5V** (single power supply)  
- **Package:** **300-mil DIP (Dual In-line Package), 18-pin**  
- **Refresh Cycles:** **256 cycles every 4 ms** (standard DRAM refresh requirement)  
- **Operating Temperature Range:** **0°C to +70°C** (commercial grade)  

### **Features:**  
- **Fully Static Operation:** No clock required for operation.  
- **Standard Pinout:** Compatible with other 64K x 4 DRAMs.  
- **Low Power Consumption:** Designed for efficient power usage.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **CAS (Column Address Strobe) Before RAS (Row Address Strobe) Refresh:** Supports standard DRAM refresh methods.  

### **Applications:**  
- Used in **early computer systems, industrial control systems, and embedded applications** from the 1980s and early 1990s.  

This chip is now considered **obsolete** but was widely used in its time due to its reliability and compatibility with other DRAMs of the era.  

(Note: The information is based on historical NEC datasheets and industry-standard DRAM specifications.)

DYNAMIC NMOS RAM The UPD41464L-12 is a DRAM (Dynamic Random-Access Memory) chip manufactured by NEC (now part of Renesas Electronics).  

### **Specifications:**  
- **Type:** 64K x 4-bit DRAM  
- **Organization:** 65,536 words × 4 bits  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Operating Voltage:** +5V ±10%  
- **Refresh Cycles:** 128 cycles every 2 ms  
- **Package:** 18-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions:**  
- The UPD41464L-12 is a high-speed, low-power CMOS DRAM.  
- It features a multiplexed address input structure to reduce pin count.  
- Compatible with standard DRAM controllers.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **Single +5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **RAS-Only Refresh:** Supports simplified refresh cycles.  
- **Three-State Output:** Allows for bus sharing in multi-chip configurations.  

This chip was commonly used in early computing systems, embedded applications, and industrial electronics.