DYNAMIC NMOS RAM The UPD41464C-10 is a DRAM (Dynamic Random Access Memory) chip manufactured by NEC. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer:**  
- **NEC (Nippon Electric Company)**  
### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic RAM)  
- **Density:** 64K x 4-bit (256Kbit)  
- **Organization:** 65,536 words × 4 bits  
- **Access Time:** 100ns  
- **Operating Voltage:** +5V ±10%  
- **Package:** 18-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Refresh Cycles:** 128 cycles every 2ms  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
### **Features:**  
- **High-Speed Operation:** 100ns access time  
- **Low Power Consumption:** Suitable for battery-backed applications  
- **Single +5V Power Supply:** Simplifies system design  
- **Standard Pinout:** Compatible with industry-standard 64Kx4 DRAMs  
- **CAS (Column Address Strobe) Before RAS (Row Address Strobe) Refresh:** Supports efficient refresh cycles  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels  
### **Applications:**  
- Early personal computers (PCs)  
- Embedded systems  
- Industrial control systems  
- Telecommunications equipment  
This DRAM chip was commonly used in 1980s-era computing systems requiring moderate memory capacity with efficient power usage.