32,768 x 8-bit CMOS EEPROM. Access time(max) 250 ns. The **UPD28C256CZ-25** is a **256K-bit (32K x 8) CMOS Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (EEPROM)** manufactured by **NEC**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 32K x 8 bits  
- **Access Time:** 250 ns (max)  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 30 mA (max)  
  - Standby Current: 100 µA (max)  
- **Endurance:** 10,000 write/erase cycles (min)  
- **Data Retention:** 10 years (min)  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  

### **Features:**  
- **Byte-erasable and programmable**  
- **Automatic page write operation** (up to 64 bytes per page)  
- **Hardware and software data protection**  
- **TTL-compatible inputs and outputs**  
- **High-reliability CMOS technology**  

This EEPROM is designed for applications requiring non-volatile memory storage with fast read and write capabilities.

32,768 x 8-bit CMOS EEPROM. Access time(max) 250 ns. The **UPD28C256CZ-25** is a **256K-bit (32K x 8-bit) CMOS Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (EEPROM)** manufactured by **NEC (now Renesas Electronics)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Capacity:** 256K-bit (32K x 8-bit)  
- **Access Time:** 250 ns (indicated by the "-25" suffix)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Current:** 30 mA (typical)  
- **Standby Current:** 100 μA (typical)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  
- **Endurance:** 10,000 write/erase cycles (minimum)  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  

### **Features:**  
- **Byte-erasable and programmable**  
- **Automatic page write operation** (up to 64 bytes per page)  
- **Hardware and software data protection**  
- **TTL-compatible inputs and outputs**  
- **Low-power CMOS technology**  
- **Self-timed programming cycle**  

### **Applications:**  
- **Microcontroller-based systems**  
- **Firmware storage**  
- **Industrial control systems**  
- **Embedded systems**  

This EEPROM is designed for **non-volatile storage** applications requiring **frequent updates** and **reliable data retention**.