THREE-TERMINAL LOW-DROPOUT POSITIVE-VOLTAGE REGULATOR (OUTPUT CURRENT: 0.3 A) The **UPD120N33T1B** is a power MOSFET manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- NEC (Nippon Electric Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 330V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 120W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.33Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The **UPD120N33T1B** is a high-voltage, N-channel power MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 330V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of continuous 12A operation.  
- **Robust Thermal Performance:** Designed for efficient heat dissipation.  

This information is based on NEC's official datasheet for the **UPD120N33T1B**. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.