-15 dBm INPUT, VARIABLE GAIN AMPLIFIER SILICON MMIC FOR TRANSMITTER AGC OF DIGITAL CELLULAR TELEPHONE The part **UPC8120T** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPC8120T  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Maximum Power Dissipation:** 30W  
- **Frequency Range:** VHF/UHF bands  
- **Operating Voltage:** Typically 12.5V  
- **Current Rating:** 1.5A  
- **Gain:** High gain for RF amplification  

### **Descriptions:**  
The **UPC8120T** is a high-frequency RF power transistor designed for use in VHF/UHF applications. It is commonly used in RF amplifiers, transmitters, and communication equipment due to its high gain and power handling capabilities.  

### **Features:**  
- High power output for RF applications  
- Suitable for VHF/UHF frequency ranges  
- Robust TO-220 package for heat dissipation  
- Designed for stable performance in RF circuits  
- Used in amateur radio and commercial RF systems  

This information is based on the available technical data for the **UPC8120T** from NEC.