### **Specifications:**  
- **Type:** High-Frequency Amplifier Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 20V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 4V  
- **Collector Current (Ic):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **Transition Frequency (ft):** 800MHz  
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency amplification in RF applications.  
- Low noise performance suitable for communication circuits.  
- Compact and reliable for use in portable and fixed electronic devices.  
- Commonly used in VHF/UHF amplifiers, oscillators, and signal processing circuits.  
- Encapsulated in a small plastic package (TO-92 or equivalent).  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)