**Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 15V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 3V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 50mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **Transition Frequency (ft):** 1.5GHz  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

**Descriptions and Features:**  
- High-frequency RF transistor designed for amplification applications.  
- Suitable for low-noise and high-gain RF circuits.  
- Compact and reliable for use in communication devices.  
- Commonly used in VHF/UHF amplifiers and oscillators.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheets for the latest specifications.)