### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package:** SOT-343 (SC-70)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 150 mW  
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** 12 V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8 V  
- **Maximum Drain Current (Id):** 30 mA  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-noise, high-gain RF amplification in VHF/UHF applications.  
- Suitable for portable communication devices, wireless modules, and RF front-end circuits.  
- Low noise figure (NF) for improved signal clarity.  
- High transition frequency (fT) for stable high-frequency operation.  
- Compact SOT-343 package for space-constrained designs.  

(Note: Always verify datasheet details for exact performance characteristics in specific applications.)