### **Specifications:**  
- **Type:** High-frequency transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Collector Current (Ic):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **Transition Frequency (ft):** 1GHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-frequency amplification in RF applications.  
- Suitable for low-noise amplification and switching circuits.  
- Compact and reliable for consumer electronics and communication devices.  

### **Features:**  
- High transition frequency for RF applications.  
- Low noise performance.  
- Small form factor (TO-92 package).  
- Suitable for VHF and UHF circuits.