**Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** Amplification in RF circuits  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Maximum Power Dissipation:** 150 mW  
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** 12 V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8 V  
- **Maximum Drain Current (Id):** 30 mA  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Low noise figure for improved signal clarity in RF applications.  
- High gain performance suitable for small-signal amplification.  
- Compact SOT-323 package for space-constrained designs.  
- Designed for use in VHF/UHF frequency ranges.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application suitability.)