5 V, SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER The part **UPC3224TB-E3** is manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPC3224TB-E3  
- **Type:** RF Transistor  
- **Category:** Discrete Semiconductor Products  

### **Descriptions:**  
- The UPC3224TB-E3 is an RF transistor designed for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- High-frequency performance  
- Suitable for RF amplification  
- Robust construction for reliable operation  

For detailed electrical characteristics or application notes, refer to the official NEC datasheet.

5 V, SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER **Part Number:** UPC3224TB-E3  
**Manufacturer:** Renesas  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN Silicon Transistor  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 (min) @ IC = 2mA, VCE = 5V  

### **Descriptions:**  
The UPC3224TB-E3 is a dual NPN silicon transistor in an SOT-23 package, designed for general-purpose amplification and switching applications. It features high current gain and low saturation voltage.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Small SOT-23 package for space-saving designs  
- Suitable for high-density mounting  
- RoHS compliant  

This part is commonly used in consumer electronics, signal amplification, and switching circuits.