**Specifications:**  
- **Type:** High-Frequency Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1W  
- **Transition Frequency (ft):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High transition frequency suitable for RF and fast-switching circuits.  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting.  
- Commonly used in communication devices, oscillators, and signal processing circuits.  

(Note: Verify datasheet for exact parameters as specifications may vary.)