- **Specifications:**  
  - **Type:** High-frequency transistor  
  - **Material:** Silicon (Si)  
  - **Polarity:** NPN  
  - **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 60V  
  - **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 50V  
  - **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
  - **Maximum Collector Current (Ic):** 50mA  
  - **Power Dissipation (Pd):** 300mW  
  - **Transition Frequency (ft):** 1.5GHz  
  - **Noise Figure (NF):** Low noise  

- **Descriptions:**  
  - Designed for high-frequency amplification in RF applications.  
  - Suitable for VHF/UHF circuits and communication devices.  
  - Features low noise and high gain performance.  

- **Features:**  
  - High transition frequency for RF applications.  
  - Low noise characteristics.  
  - Small signal amplification capability.  
  - Reliable performance in high-frequency circuits.  

(Note: Always verify specifications with the latest datasheet, as details may vary.)