- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Applications:** High-speed switching, general-purpose amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -800mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 600mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = -10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (min)  
- **Package:** TO-92 (plastic encapsulation)  

**Features:**  
- High-speed switching capability  
- Low saturation voltage  
- Complementary pair available with NPN transistor (UPC2904)  
- Suitable for driver and amplifier circuits  

**Note:** Always refer to the official NEC datasheet for detailed specifications and application guidelines.