5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC VHF-UHF WIDEBAND AMPLIFIER The part **UPC2791TB-E3** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** RF Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):** 160V  
- **Current - Collector (Ic) (Max):** 15A  
- **Power - Max:** 100W  
- **Frequency - Transition:** 30MHz  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **UPC2791TB-E3** is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for RF and amplification applications.  
- It is housed in a **TO-220** package, providing efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- High collector-emitter breakdown voltage (160V).  
- High current handling capability (15A).  
- Suitable for high-power RF and switching applications.  
- Robust thermal performance due to TO-220 packaging.  

This information is based on NEC's datasheet and product documentation. For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet.