- **Specifications:**  
  - **Type:** NPN Silicon Transistor  
  - **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
  - **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
  - **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 20V  
  - **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 4V  
  - **Collector Current (Ic):** 50mA  
  - **Power Dissipation (Pd):** 300mW  
  - **Transition Frequency (ft):** 800MHz  
  - **Gain (hFE):** 40-200  

- **Descriptions & Features:**  
  - Designed for high-frequency and low-noise amplification.  
  - Suitable for RF and VHF applications.  
  - Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting.  
  - Low leakage current and high reliability.  
  - Commonly used in communication devices and signal processing circuits.  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)