3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS Here are the factual details about the part **UPC2762TB-E3** from the manufacturer **NEC**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPC2762TB-E3  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Package:** SOT-89  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 1.5 W  
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 12 V  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 8 V  
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 3 V  
- **Collector Current (Ic):** 1 A  
- **Transition Frequency (fT):** 5 GHz  
- **Noise Figure:** 1.5 dB (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  

### **Descriptions:**
The **UPC2762TB-E3** is an NPN RF transistor designed for high-frequency amplification applications. It is housed in an SOT-89 package, providing good thermal performance and compact size. This transistor is suitable for use in wireless communication, RF amplifiers, and other high-frequency circuits.

### **Features:**
- High transition frequency (5 GHz) for RF applications  
- Low noise figure (1.5 dB typical)  
- High power dissipation capability (1.5 W)  
- Suitable for high-frequency amplification  
- Compact SOT-89 package for space-constrained designs  
- Wide operating temperature range (-40°C to +125°C)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.