- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification in RF circuits  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 30V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 15V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 3V  
  - Collector Current (IC): 50mA  
  - Total Power Dissipation (PT): 300mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - Transition Frequency (fT): 600MHz (min)  
  - Noise Figure (NF): 4dB (typical at 100MHz)  
- **Features:**  
  - High transition frequency for RF applications  
  - Low noise performance  
  - Suitable for VHF/UHF amplification  

This transistor is commonly used in radio frequency circuits, such as amplifiers and oscillators.