3 V, wideband medium power silicon MMIC amplifier. The part **UPC2762T-E3** is manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Package/Case:** TO-220-3  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** 60V  
- **Current - Drain (Id) @ 25°C:** 30A  
- **Power Dissipation (Pd):** 50W  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 0.025 Ohm @ 15A, 10V  
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** 1V ~ 3V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF @ 25V  
- **Operating Temperature:** -55°C ~ 150°C  

### **Descriptions:**  
- The **UPC2762T-E3** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-power switching applications.  
- It is housed in a **TO-220-3** package, making it suitable for through-hole mounting.  
- The device is optimized for **low on-resistance (Rds(on))** and high current handling.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (Rds(on)):** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability (30A):** Suitable for power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Wide Operating Temperature Range (-55°C to 150°C):** Reliable in harsh environments.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.