### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Maximum Power Dissipation:** 30W  
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** 60V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **Maximum Drain Current (Id):** 7A  
- **Frequency Range:** Suitable for RF applications  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **RF power amplification** in communication equipment.  
- High gain and efficiency for **VHF/UHF** applications.  
- **Low noise** performance.  
- **Robust construction** for reliable operation in demanding conditions.  
- Suitable for **linear and switching** applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.