1.2 GHz LOW POWER CONSUMPTION WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT The part **UPC2715T-E3** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **NEC**. Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.8V (min), 1.5V (typ), 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-speed switching** applications.  
- **Low on-resistance** for improved efficiency.  
- Suitable for **power management** in portable devices, DC-DC converters, and motor control.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based on NEC's official datasheet for the UPC2715T-E3.