1.2 GHz LOW NOISE WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT The **UPC2713T-E3** is a **P-Channel MOSFET** manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  

### **Descriptions:**
- The **UPC2713T-E3** is designed for **low-voltage, high-speed switching applications**.  
- It is housed in a **SOT-89 package**, making it suitable for compact designs.  
- This MOSFET is commonly used in **power management, load switching, and DC-DC conversion circuits**.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Compact SOT-89 Package** for space-constrained designs.  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with low-voltage logic circuits.  

For exact application details, always refer to the official datasheet.

1.2 GHz LOW NOISE WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT