2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT The **UPC2711T-E3** is a **Silicon N-Channel MOSFET** manufactured by **NEC**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- High-speed switching  
- Suitable for power management applications  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, and switching circuits**.  

(Note: Since NEC has restructured, some legacy parts may be under different branding now.)