5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER The part **UPC2709T** is manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Category:** High-Frequency Amplifier Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Frequency:** 500 MHz  
- **Power Dissipation:** 30 W  
- **Collector Current (Ic):** 1.5 A  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 36 V  
- **Gain (hFE):** 10 to 60  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **RF power amplification** in VHF/UHF applications.  
- Suitable for **linear and Class C amplifiers**.  
- Used in **radio transmitters, RF amplifiers, and communication equipment**.  

### **Features:**  
- **High power gain** at high frequencies.  
- **Low distortion** for linear amplification.  
- **Robust thermal performance** due to TO-220 package.  
- **Reliable for RF applications** in industrial and communication systems.  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files. No additional guidance or suggestions are included.