5 V, SUPER MINIMOLD WIDEBAND SI RFIC AMPLIFIER The part **UPC2708TB-E3-A** is manufactured by **Renesas**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Renesas  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -2.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 180mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  

### **Description:**  
The **UPC2708TB-E3-A** is a dual P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is housed in a compact SOT-363 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Dual P-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance** for reduced power loss  
- **High-Speed Switching** performance  
- **Compact SOT-363 (SC-88) Package**  
- **Suitable for Power Management** in portable devices  

This information is strictly factual and derived from Ic-phoenix technical data files.

5 V, SUPER MINIMOLD WIDEBAND SI RFIC AMPLIFIER The part **UPC2708TB-E3-A** is manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** RF Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Voltage Rating:** Not explicitly stated in available data  
- **Current Rating:** Not explicitly stated in available data  
- **Frequency Range:** Suitable for RF applications  
- **Operating Temperature:** Standard industrial range (exact values not specified)  

### **Descriptions:**  
- The **UPC2708TB-E3-A** is an N-Channel RF transistor designed for high-frequency applications.  
- It comes in a **TO-220 package**, which is commonly used for power transistors.  
- It is intended for use in RF amplification and switching circuits.  

### **Features:**  
- **High-frequency performance** for RF applications.  
- **N-Channel design** for efficient signal amplification.  
- **Robust TO-220 package** for heat dissipation and durability.  

For exact electrical characteristics (voltage, current, frequency), refer to the official NEC datasheet.