3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER The part **UPC2708T-E3** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** RF Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 30W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 3A  
- **Transition Frequency (fT):** 175MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **UPC2708T-E3** is an NPN silicon RF power transistor designed for high-frequency amplification applications. It is commonly used in RF power amplifiers, transmitters, and other RF circuits requiring high power and frequency performance.  

### **Features:**  
- High power gain  
- Excellent linearity  
- Low distortion  
- Suitable for VHF/UHF applications  
- Robust TO-220 package for heat dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.