### Specifications:  
- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -230V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -230V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -15A  
- **Collector Dissipation (PC)**: 130W  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  

### Features:  
- High voltage capability  
- High current handling  
- Low saturation voltage  
- Designed for power amplification and switching applications  

### Applications:  
- Audio amplifiers  
- Power supply circuits  
- Motor control systems  
- Industrial equipment  

This transistor is commonly paired with its complementary NPN counterpart, the 2SC5200, in high-power amplifier designs.