- **Type**: High-frequency, low-noise amplifier (LNA) transistor  
- **Package**: SOT-89 (TO-243)  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Polarity**: NPN  
- **Applications**: RF amplification in wireless communication devices, such as mobile phones and base stations  
- **Frequency Range**: Up to 2 GHz  
- **Power Dissipation**: 1.5 W  
- **Collector Current (Ic)**: 100 mA  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 12 V  
- **Gain (hFE)**: 20–200  
- **Noise Figure**: Low noise performance for RF applications  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +125°C  

**Features**:  
- High gain and low noise characteristics  
- Suitable for small-signal amplification in RF circuits  
- Compact SOT-89 package for space-saving designs  
- Reliable performance in wireless communication systems  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)