**Specifications:**  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pc):** 100W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 15A  
- **DC Current Gain (hFE):** 20-70  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-3P  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power RF amplification applications.  
- Suitable for use in VHF/UHF amplifiers and RF power stages.  
- High power gain and efficiency.  
- Robust construction for reliable performance in demanding conditions.  
- Low thermal resistance for effective heat dissipation.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for accuracy.)