2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER The **UPC1678G-E1** is a **silicon N-channel enhancement-mode MOS field-effect transistor (MOSFET)** manufactured by **NEC**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel enhancement-mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 5A  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-speed switching** applications.  
- Suitable for **power amplification** and **switching circuits**.  
- Features **low on-resistance** for efficient power handling.  

### **Features:**
- **High-speed switching capability**  
- **Low threshold voltage**  
- **Low input capacitance**  
- **High reliability**  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, and DC-DC converters**.  

(Source: NEC datasheet for UPC1678G-E1)