### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 1GHz)  
- **Package:** TO-92  

### **Features:**  
- High transition frequency for RF applications  
- Low noise figure suitable for weak signal amplification  
- Small TO-92 package for compact circuit designs  
- Designed for VHF/UHF amplifier circuits  

This transistor is commonly used in **radio frequency (RF) amplifiers, oscillators, and low-noise signal processing circuits**.