### **Specifications:**  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 160V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 160V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 15A  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 150W  
- **Transition Frequency (ft):** 30MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-3P  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for RF power amplification in high-frequency applications.  
- High power gain and efficiency.  
- Suitable for use in RF amplifiers, transmitters, and industrial equipment.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  
- Low thermal resistance for improved heat dissipation.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application suitability.)