**Specifications:**  
- **Type:** Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Usage:** Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  

**Electrical Characteristics:**  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 625mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  

**Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for high-speed switching  
- Reliable performance in general-purpose circuits  

**Applications:**  
- Audio amplification  
- Signal processing  
- Switching circuits  

**Note:** Always refer to the official NEC datasheet for precise performance curves and application guidelines.