**Specifications:**  
- **Type:** High-frequency transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 20V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **Transition Frequency (ft):** 1.5GHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package Type:** TO-92  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency amplification applications.  
- Suitable for RF and VHF circuits.  
- Low noise performance.  
- Compact TO-92 package for easy mounting.  
- Commonly used in communication devices and signal processing circuits.  

(Note: Always verify datasheets for precise application details.)