**Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor Module  
- **Configuration:** NPN Silicon  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V  
- **Maximum Collector Current (IC):** 20A  
- **Power Dissipation (Pd):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -20°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-3P  

**Descriptions and Features:**  
- High-voltage, high-current power transistor module  
- Designed for power amplification and switching applications  
- Low saturation voltage for efficient operation  
- Robust construction for industrial and high-power use  
- Suitable for inverters, motor control, and power supplies