NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR The **UpA835TF-T1** is a P-channel MOSFET manufactured by **NEC**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UpA835TF-T1  
### **Type:** P-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Pin Count:** 3  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- High-speed switching  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs  

This MOSFET is commonly used in power management, load switching, and other low-voltage applications.