### **Specifications:**  
- **Type:** High-frequency transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 20V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1W  
- **Transition Frequency (ft):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency amplification and switching applications.  
- Low noise and high gain characteristics.  
- Suitable for RF and general-purpose amplification.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Commonly used in communication devices, oscillators, and signal processing circuits.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for precise specifications.)