**Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 40-320  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Features:**  
- High-speed switching capability  
- Low saturation voltage  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  
- TO-92 package for easy mounting  

**Descriptions:**  
The UPB425C is an NPN silicon transistor designed for high-speed switching and amplification. It is commonly used in low-power applications such as signal amplification, driver stages, and switching circuits. The TO-92 package ensures compact and efficient integration into electronic designs.  

(Note: Specifications and features are based on available data; always verify with the manufacturer's datasheet for precise details.)