3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS The UPB1510GV is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
The UPB1510GV is a P-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for power management circuits, DC-DC converters, and motor control applications.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced power loss  
- High-speed switching capability  
- Low threshold voltage for efficient drive  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  
- Suitable for power supply and load switching applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.