**Part Number:** UPB1509GV  

**Specifications:**  
1. **Type:** RF Transistor  
2. **Package:** SOT-89  
3. **Polarity:** NPN  
4. **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
5. **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 15V  
6. **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 3V  
7. **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
8. **Power Dissipation (Pd):** 1W  
9. **Transition Frequency (ft):** 5GHz  
10. **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)  

**Descriptions:**  
- The UPB1509GV is a high-frequency NPN transistor designed for RF amplification applications.  
- It is suitable for use in VHF/UHF amplifiers, mobile communication devices, and other RF circuits.  

**Features:**  
- High transition frequency (5GHz) for excellent RF performance.  
- Low noise figure (1.5dB typical) for improved signal clarity.  
- Compact SOT-89 package for space-efficient designs.  
- Suitable for low-power RF amplification in communication systems.