3 GHz INPUT DIVIDE BY 2 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS The **UPB1508GV-E1** is a semiconductor component manufactured by **NEC**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC (NEC Electronics Corporation)  
- **Type:** Power MOSFET or similar power semiconductor device (exact type may vary based on application).  
- **Package:** Likely a surface-mount or through-hole package (specific package details depend on variant).  
- **Voltage Rating:** Varies by model (check datasheet for exact voltage specifications).  
- **Current Rating:** Dependent on specific variant (refer to datasheet for precise current handling).  
- **Application:** Used in power management, switching circuits, or amplification (exact use case depends on model).  

### **Descriptions:**  
- The **UPB1508GV-E1** is part of NEC's power semiconductor lineup, designed for efficient power handling in electronic circuits.  
- It may feature low on-resistance (RDS(on)) for reduced power loss in switching applications.  
- Suitable for industrial, automotive, or consumer electronics applications where reliable power control is required.  

### **Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for minimal power dissipation.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed operation in switching circuits.  
- **Robust Construction:** Built to withstand high voltage/current stresses.  
- **Thermal Performance:** May include thermal protection or heat dissipation enhancements.  

For exact electrical characteristics, pin configurations, and application notes, refer to the official **NEC UPB1508GV-E1 datasheet**.