**Part Number:** UPB1507GV-E1  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Frequency Range:** Suitable for VHF/UHF applications  
- **Package:** SOT-89 (Miniature surface-mount package)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation:** Typically around 1W (check datasheet for exact value)  
- **Operating Voltage:** Designed for low-voltage operation  
- **Gain:** High gain performance for RF applications  

### **Descriptions:**  
The UPB1507GV-E1 is an RF transistor optimized for high-frequency amplification in VHF/UHF bands. It is designed for use in wireless communication systems, such as mobile devices and RF modules.  

### **Features:**  
- High gain at RF frequencies  
- Low noise performance  
- Compact SOT-89 package for space-constrained applications  
- Suitable for battery-powered devices due to low-voltage operation  

For exact electrical characteristics, refer to the official Renesas datasheet.

**Specifications:**  
- **Type:** Voltage Regulator IC  
- **Output Voltage:** Adjustable/Fixed (specifics depend on application)  
- **Input Voltage Range:** Typically 4.5V to 18V (verify datasheet for exact range)  
- **Output Current:** Up to 1.5A (check datasheet for exact ratings)  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK) or similar surface-mount package  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C (confirm with datasheet)  
- **Features:**  
  - Overcurrent protection  
  - Thermal shutdown  
  - Low dropout voltage (LDO)  
  - High ripple rejection  

**Descriptions & Features:**  
- Designed for stable voltage regulation in electronic circuits.  
- Suitable for power management in consumer electronics, automotive, and industrial applications.  
- Compact form factor for space-constrained designs.  

For precise details, always refer to the official NEC datasheet.