NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR The UPA862TD is a transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA862TD  

### **Type:**  
- **Transistor Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  

### **Key Specifications:**  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at Ta = 25°C)  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics (Typical):**  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 - 560 (at IC = 0.1A, VCE = 1V)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (at IC = 0.5A, IB = 50mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and amplification applications  
- Compact surface-mount package (TO-252)  

### **Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

This information is based on NEC's datasheet for the UPA862TD transistor. For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet.