NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR The part **UPA835TF** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA835TF  
- **Type:** RF Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Application:** RF amplification in communication equipment  
- **Frequency Range:** Suitable for VHF/UHF bands  

### **Descriptions:**  
- The UPA835TF is a high-frequency transistor designed for RF power amplification.  
- It is commonly used in transmitters and RF communication systems.  
- The TO-220F package provides thermal efficiency and electrical isolation.  

### **Features:**  
- High power gain and efficiency in RF applications.  
- Designed for stable performance in VHF/UHF frequency ranges.  
- Isolated package for improved thermal management.  

For exact electrical characteristics (e.g., voltage, current, gain), refer to the official NEC datasheet.