Silicon Darlington transistor array The part **UPA81C** is manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 500mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **Transition Frequency (ft):** 200MHz (typical)  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 240 (depending on operating conditions)  

### **Descriptions & Features:**  
- The **UPA81C** is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- Suitable for RF (Radio Frequency) and general-purpose amplification due to its high transition frequency (200MHz).  
- Low noise characteristics make it ideal for small-signal amplification in audio and communication circuits.  
- Compact **TO-92** package allows for easy PCB mounting and prototyping.  
- Commonly used in consumer electronics, RF circuits, and signal processing applications.  

This information is based on NEC's datasheet and technical documentation for the **UPA81C** transistor.