NPN silicon high frequency transistor. The UPA810T is a transistor manufactured by NEC. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA810T  

#### **Descriptions:**  
- The UPA810T is a **PNP silicon epitaxial planar transistor** designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92 package**, which is a small, through-hole, plastic-encapsulated transistor package.  

#### **Features:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** Typically 120 to 400 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** ~100MHz (typical)  

#### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

This information is based on NEC's datasheet for the UPA810T transistor.