Consumer-use Ultra-high Frequency Bipolar Transistor The part **UPA810T-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA810T-T1  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Package:** SOT-523 (SC-89)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 150mW  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 400 (at V_CE = -5V, I_C = -2mA)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage PNP Transistor:** Suitable for switching and amplification applications.  
- **Compact Package:** SOT-523 (SC-89) surface-mount package for space-saving designs.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient operation in switching circuits.  
- **High DC Current Gain (h_FE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for various environmental conditions.  

This information is based on NEC's official datasheet for the UPA810T-T1.